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2納米無需EUV光刻機,ASML或面臨滅頂之災,難怪加緊對中國出貨了

2023-11-01 來源: 柏銘007
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關鍵詞: 存儲芯片 中國芯 臺積電

ASML曾表示全球5納米以下的工藝必需它的EUV光刻機,誰也無法替代它的地位,然而如今卻有廠商表示可以繞開EUV光刻機生產先進工藝,嚇壞了ASML。



在光刻機行業,除了ASML之外,其實還有日本的尼康和佳能,尼康已研發成功浸潤式光刻機,不過它的光刻機技術與ASML存在較大差距,這也導致尼康難以與ASML競爭。


佳能則認識到在光刻機市場已很難與ASML競爭,選擇了另辟蹊徑發展新的芯片制造設備,那就是NIL納米壓印技術,該項技術在幾年前就已取得突破,并被日本鎧俠用于生產存儲芯片。


不過此前NIL技術只能用于生產10納米以上的工藝,去年佳能表示量產了10納米的NIL工藝,近期佳能更表示5納米的NIL工藝也已突破,預計到2026年實現2納米的NIL工藝。


相比起采用EUV光刻機生產5納米以下的先進工藝,NIL工藝的成本可以降低三成到五成,越先進的工藝成本就比ASML更低,這已獲得了業界的認可,近期SK海力士就采用了NIL工藝,這是日本廠商之外第一家采用佳能NIL設備。



中國芯片行業對此相當感興趣,由于ASML受制于美國無法對中國出售EUV光刻機,中國芯片行業一直都在研發自己的光刻機,同時探尋研發繞開EUV光刻機芯片制造技術。


ASML曾聲言即使給中國圖紙,中國也無法生產出光刻機,然而近期華為推出了一款5G手機mate60Pro,據稱采用了國產的浸潤式光刻機,這是國產芯片制造設備的重大進步。


隨著中國在芯片設備方面的重大突破,中國在繞開EUV光刻機的芯片制造技術上預計也將取得重大進展,畢竟已有日本的NIL工藝作為指引,可以預期中國將很快研發出無需EUV光刻機的先進工藝。



佳能的NIL工藝正在大舉搶占ASML的市場,畢竟它的生產成本更低,在如今美光、三星等存儲芯片業務虧損嚴重的情況下,有助于降低成本的NIL工藝將很快風行。


至于最大客戶臺積電由于3納米工藝表現不佳,它已停止采購EUV光刻機,還將多臺生產線上的EUV光刻機停產;另一大客戶Intel出現巨虧,Intel 4生產線放緩量產,更不會采購EUV光刻機。


幾個大客戶都在減少乃至停止采購,還面臨佳能搶占市場,這讓ASML相當擔憂自己的前景,如此僅剩下的大市場--中國市場就備受ASML關注,但是正如上述中國在浸潤式光刻機方面已取得突破,無需EUV光刻機的技術也在推進,留給ASML的時間已經不多了。


于是今年三季度ASML趕緊大舉對中國出售光刻機,它公布的業績顯示今年三季度從中國市場獲得的收入高達46%,較去年的低谷8%增長了4倍多,可見ASML對于搶占中國市場多么迫切。



現實證明ASML的光刻機生意已很難長久,它也表示第二代EUV光刻機將是它最后一款光刻機,光刻機業務將走到盡頭,中國這個超級大市場將是它的最后紅利,爭取中國市場已是它最后的選擇。