三星計劃在本月晚些時候開始量產(chǎn)第九代V-NAND閃存，可用的堆疊層數(shù)達(dá)290層，相比現(xiàn)在的236層只增加不到23％。

這一代新閃存將采用新的堆疊架構(gòu)，底部是CMOS層加邏輯電路，上邊是145層閃存陣列，再上邊又是145層閃存陣列。

這種方法雖然更復(fù)雜，但是良品率可以得到很好的保障，而且可以輕松進(jìn)一步拓展。

按照三星的規(guī)劃，2025年下半年將量產(chǎn)第十代V-NAND，進(jìn)一步堆疊到430層。

更遙遠(yuǎn)的未來，三星可能會在2030年左右做到1000層。

中國長江存儲可能會在今年下半年量產(chǎn)300層，SK海力士計劃明年初量產(chǎn)321層，鎧俠號稱2031年量產(chǎn)1000多層！