據(jù)媒體報道，SK海力士正在評估東京電子最新的低溫蝕刻設(shè)備，該設(shè)備可以在-70℃的低溫下運行，用來生成400層以上堆疊的新型3D NAND。

據(jù)了解，SK海力士此次并未直接引進設(shè)備，而是選擇將測試晶圓發(fā)送到東京電子的實驗室進行評估，以驗證新設(shè)備在生產(chǎn)中的實際表現(xiàn)。這一舉措顯示了SK海力士在新技術(shù)引入上的謹慎態(tài)度和對質(zhì)量的嚴格把控。

與傳統(tǒng)的蝕刻工藝相比，東京電子的這款低溫蝕刻設(shè)備在工作溫度上形成了鮮明對比。傳統(tǒng)蝕刻工藝通常在0℃到30℃的溫度范圍內(nèi)進行，而這款新設(shè)備能在-70℃的低溫下運行，這樣的低溫環(huán)境為生產(chǎn)更高性能的3D NAND提供了可能。

據(jù)東京電子提供的論文數(shù)據(jù)，這款新的蝕刻機能在短短33分鐘內(nèi)完成10微米深的高深度比蝕刻，效率比現(xiàn)有工具高出三倍以上。這一顯著的技術(shù)進步不僅提高了3D NAND的生產(chǎn)效率，還有望進一步推動閃存技術(shù)的發(fā)展。

目前，SK海力士的321層3D NAND采用了三重堆棧結(jié)構(gòu)。而采用東京電子的新設(shè)備后，該公司可能實現(xiàn)以單堆棧或雙堆棧的方式構(gòu)建400層的3D NAND，這將進一步提升生產(chǎn)效率。然而，這一目標(biāo)的實現(xiàn)還需等待新設(shè)備在可靠性及性能一致性方面的進一步驗證。

值得一提的是，東京電子的這款低溫蝕刻設(shè)備在環(huán)保方面也表現(xiàn)出色。它采用氟化氫（HF）氣體作為蝕刻介質(zhì)，相較于傳統(tǒng)系統(tǒng)使用的氟碳化物氣體，具有更低的溫室效應(yīng)，為半導(dǎo)體行業(yè)的綠色發(fā)展提供了有力支持。

此外，全球半導(dǎo)體巨頭三星也在驗證這一新技術(shù)。與SK海力士不同，三星選擇了直接引進東京電子的新設(shè)備進行測試，顯示出其對新技術(shù)的高度關(guān)注和積極態(tài)度。