日本芯片制造商鎧俠（Kioxia）計劃2026年在巖手縣晶圓廠開始生產(chǎn)新一代NAND閃存芯片。

這些改進型芯片旨在通過大幅提升長期數(shù)據(jù)存儲容量，滿足人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心對海量計算的需求。該計劃旨在創(chuàng)建高效的研發(fā)和生產(chǎn)系統(tǒng)，與鎧俠三重縣四日市工廠截然不同。

鎧俠位于巖手縣北上工廠的生產(chǎn)將采用公司“第十代”技術。通過將垂直堆疊的存儲單元層數(shù)從第八代的218層增加到332層，鎧俠將使單位面積的存儲容量提高59%，數(shù)據(jù)傳輸速度提高33%。新一代芯片還降低了功耗。

此前有傳言稱，鎧俠將在四日市工廠生產(chǎn)新型芯片，該公司一直在該工廠進行研發(fā)工作。但多位知情人士透露，生產(chǎn)工作實際上將在巖手縣北上工廠進行。該公司沒有擴建計劃，將使用巖手縣晶圓廠第二座廠房Fab2，該廠房已于9月投入運營。

鎧俠采取雙管齊下的戰(zhàn)略，一方面開發(fā)和生產(chǎn)高性能、低成本的芯片，另一方面開發(fā)和生產(chǎn)層數(shù)更多的大容量芯片。

第十代存儲芯片正是該公司計劃生產(chǎn)的大容量產(chǎn)品。其雙管齊下的戰(zhàn)略將確保生產(chǎn)效率，四日市工廠將繼續(xù)專注于高性能產(chǎn)品的生產(chǎn)，而需要大量資本投入以增加層數(shù)的大容量產(chǎn)品將在北上工廠生產(chǎn)。

四日市工廠的第九代高性能產(chǎn)品將于本財年末開始生產(chǎn)。鎧俠預計其第九代芯片將主要用于智能手機。第九代芯片將保持與前代芯片相同的層數(shù)以降低成本，但采用更新的架構來提高數(shù)據(jù)處理速度和降低功耗。

這種新架構采用了一種技術，即生產(chǎn)兩個獨立的晶圓，一個包含存儲單元，另一個包含用于讀寫數(shù)據(jù)的電路。然后將這兩個基板直接鍵合在一起。這項技術自第八代芯片以來就已開始使用。傳統(tǒng)的存儲芯片是將存儲單元和讀寫電路印刷在同一基板上。

北上工廠所在的巖手縣南部正逐漸成為半導體制造中心。Tokyo Electron（TEL）11月在當?shù)亟ǔ梢蛔a(chǎn)和物流于一體的綜合設施。包括富士金（Fujikin）和米蘭普洛（Mirapro）在內的半導體設備零部件供應商也加大了在該地區(qū)的投入。（校對/趙月）