SiC 技術重磅突破！瀚天天成全球首發 12 英寸碳化硅外延晶片。相較于當前主流的 150mm（6 英寸）碳化硅外延晶片，以及尚處產業化推進階段的 200mm（8 英寸）產品，300mm（12 英寸）晶片憑借直徑的顯著擴容，在相同生產工序下，單片可承載的芯片（器件）數量實現大幅提升 —— 較 6 英寸晶片提升至 4.4 倍，較 8 英寸晶片提升至 2.3 倍。這一突破不僅能顯著提高下游功率器件的生產效率，更將大幅降低碳化硅芯片的單位制造成本，助力瀚天天成構建技術領先的核心競爭優勢，為碳化硅產業規模化、低成本應用奠定關鍵基礎。

第三代半導體碳化硅比第一代硅半導體擁有更優的高頻、高壓、高溫能力，能夠實現系統更低的能耗、更小的體積和重量。2025年全球擁有約200條12英寸硅晶圓生產線，預測全球銷售超過1億片12英寸硅晶圓，其中包括眾多的硅功率及模擬芯片生產線。激烈的碳化硅半導體產業競爭預期也將進入12英寸時代，技術領先的企業將形成強大的競爭優勢。

瀚天天成是中國首家實現商業化3英寸、4英寸、6英寸碳化硅外延晶片批量供應的生產商。2023年5月成為大中華區首家突破8英寸碳化硅外延晶片技術的生產商，2024年成為全球唯一實現8英寸碳化硅外延晶片批量銷售的企業。2025年10月入選國家級制造業(碳化硅外延晶片)單項冠軍公示名單。是國家級專精特新重點小巨人企業（第一年第一批）。公司主導編寫了全球首個及目前唯一的碳化硅外延國際SEMI標準《4H-SiC同質外延片標準》（SEMI M092-0423 Specification for 4H-SiC Homo-epitaxial Wafer）。公司產品用于制備碳化硅功率器件，被廣泛應用于新能源汽車、光伏發電、AI電源、軌道交通、智能電網及航空航天等領域。根據灼識咨詢研報，公司2023年已成為全球最大規模的碳化硅外延晶片供應商，2024 年全球市場份額超過 31%。

據了解，瀚天天成依托研發團隊的自主技術攻堅，在廈門翔安區碳化硅半導體產業園成功開發出全球首款 12 英寸高質量碳化硅外延晶片。該產品的核心供應鏈實現國產化協同：外延設備采用晶盛機電旗下求是半導體的國產設備，襯底則由晶盛機電另一子公司浙江晶瑞（SuperSiC）提供。目前，瀚天天成已啟動 12 英寸碳化硅外延晶片的批量供應籌備工作。產品在關鍵性能指標上表現優異：外延層厚度不均勻性控制在 3% 以內，摻雜濃度不均勻性≤8%，2mm×2mm 芯片良率大于 96%，可充分滿足下游功率器件領域的高可靠性應用需求。