國際電子商情12日訊 近日，存儲巨頭美光科技宣布，將于1月16日下午在美國紐約州奧農達加縣克萊鎮正式啟動巨型晶圓廠建設項目。這項總投資約1000億美元的項目是紐約州歷史上規模最大的私人投資計劃，將分階段建設四座先進晶圓廠，打造全球最先進的存儲半導體制造中心。

該項目原定于2024年中期開工，因需完成長達上萬頁的環境評估報告，工期推遲約一年半。根據最新規劃，美光科技將在3月31日前完成場地清理工作，隨后開展鐵路支線建設和濕地平整。首座工廠預計2030年投產，第二座工廠將于2033年啟用，全部四座工廠計劃在2045年建成，屆時將創造約9000個直接就業崗位。

美光科技首席執行官Sanjay Mehrotra曾表示，該項目將鞏固公司作為美國唯一存儲器制造商的地位，助力滿足人工智能系統對存儲芯片的快速增長需求。在拜登政府執政期間，該公司根據《芯片法案》獲得了55億美元的稅收優惠，此舉是其提升美國本土DRAM產量至全球總量40%戰略的重要組成部分。

市場數據顯示，美光科技在存儲芯片領域保持重要地位。2025年第三季度，公司在全球HBM市場營收份額為21%，位列SK海力士（57%）和三星電子（22%）之后；在整體DRAM市場中，美光以26%的份額居第三位。若能達到40%的市場份額目標，公司有望躍升為全球最大存儲芯片制造商。

財務表現方面，美光科技2026財年第一財季調整后營收達136.4億美元，同比增長57%，凈利潤54.82億美元。公司預計第二財季營收將達到187億美元，遠超市場預期。Mehrotra指出，人工智能數據中心容量的快速增長正推動對高性能存儲設備的強勁需求。

該項目被視為美光科技爭奪全球存儲市場領導地位的關鍵舉措。通過建設先進制造基地，公司計劃大幅提升在DRAM等核心產品領域的產能，應對人工智能、數據中心等領域對存儲芯片持續增長的需求。隨著項目推進，美光科技有望進一步鞏固其在全球半導體產業鏈中的競爭地位。