隨著人工智能大模型對算力需求呈指數(shù)級增長，高帶寬內(nèi)存（HBM）已成為AI加速器性能的關(guān)鍵瓶頸。

據(jù)韓國媒體TheElec報(bào)道，三星電子在HBM技術(shù)競賽中邁出關(guān)鍵一步——其第七代產(chǎn)品HBM4E的研發(fā)已正式進(jìn)入基礎(chǔ)芯片（base die）的后端設(shè)計(jì)階段，標(biāo)志著整體開發(fā)進(jìn)程過半，量產(chǎn)目標(biāo)鎖定2027年。

據(jù)悉，HBM4E的基礎(chǔ)芯片目前已完成寄存器傳輸級（RTL）邏輯設(shè)計(jì)，正進(jìn)行物理電路的布局與布線（即后端設(shè)計(jì)）。這一階段通常占芯片設(shè)計(jì)總周期的60%至70%，完成后將進(jìn)入流片（tape-out）準(zhǔn)備，由代工廠啟動試產(chǎn)。

作為HBM模塊的“控制中樞”，基礎(chǔ)芯片不僅負(fù)責(zé)管理數(shù)據(jù)讀寫速度，還承擔(dān)對上方堆疊DRAM的錯(cuò)誤校正（ECC），直接決定整顆HBM的性能、穩(wěn)定性與能效。

根據(jù)此前的信息，三星為HBM4E設(shè)定了技術(shù)指標(biāo)：總帶寬目標(biāo)高達(dá)3.25 TB/s，較當(dāng)前主流的HBM3E提升約2.5倍；每針腳數(shù)據(jù)速率突破13 Gbps；同時(shí)維持2,048個(gè)I/O接口以確保兼容性。同時(shí)，其能效目標(biāo)是HBM3E的兩倍以上。這對功耗敏感的數(shù)據(jù)中心和AI訓(xùn)練集群至關(guān)重要。

為加速商業(yè)化進(jìn)程，三星已向供應(yīng)鏈發(fā)出明確信號：要求供應(yīng)商在2026年3月前提交配套材料與設(shè)備供應(yīng)計(jì)劃。公司內(nèi)部更制定了覆蓋HBM4、HBM4E到HBM5（預(yù)計(jì)2029年推出）的完整路線圖，并同步運(yùn)營兩個(gè)研發(fā)團(tuán)隊(duì)——一個(gè)專注標(biāo)準(zhǔn)品，另一個(gè)專攻定制方案，形成“雙軌并行”策略。

TheElec稱，三星計(jì)劃在其自有的4納米FinFET工藝節(jié)點(diǎn)上制造HBM4E的基礎(chǔ)芯片，并由存儲器接口專家林大賢（Daihyun Lim）領(lǐng)銜I/O設(shè)計(jì)。林大賢曾任職IBM與GlobalFoundries，2023年加入三星，其經(jīng)驗(yàn)被視為攻克高速信號完整性難題的關(guān)鍵。

值得一提的是，HBM4E及未來的HBM5將告別“通用芯片”時(shí)代，全面轉(zhuǎn)向深度定制化。三星已組建專門的“客戶HBM團(tuán)隊(duì)”，為英偉達(dá)、谷歌、Meta等頭部AI公司量身打造內(nèi)存方案。該團(tuán)隊(duì)近期擴(kuò)招250人，凸顯了客戶需求的復(fù)雜性與緊迫性。

在全球AI軍備競賽中，內(nèi)存已成為繼先進(jìn)制程之后的第二戰(zhàn)場。三星HBM4E若如期于2027年量產(chǎn)，不僅將鞏固其在高端存儲市場的領(lǐng)導(dǎo)地位，更可能成為定義下一代AI基礎(chǔ)設(shè)施的關(guān)鍵一環(huán)。