英特爾與聯(lián)電（2303）傳將進(jìn)行「世紀(jì)大合作」，英特爾要把獨(dú)家用于下世代埃米級(jí)制程與先進(jìn)封裝關(guān)鍵的獨(dú)家技術(shù)「Super MIM」超級(jí)電容授權(quán)聯(lián)電，聯(lián)電技術(shù)能力將大躍進(jìn)，雙方并將攜手搶攻AI世代大商機(jī)，樹(shù)立臺(tái)美半導(dǎo)體合作新里程碑。

對(duì)于相關(guān)消息，聯(lián)電表示，目前與英特爾的合作重心仍放在12奈米平臺(tái)，持續(xù)強(qiáng)化制程競(jìng)爭(zhēng)力與客戶(hù)服務(wù)，但未來(lái)不排除擴(kuò)大合作范圍，朝更多元技術(shù)領(lǐng)域發(fā)展。

消息人士透露，聯(lián)電內(nèi)部已有專(zhuān)門(mén)團(tuán)隊(duì)開(kāi)始對(duì)此新合作「動(dòng)起來(lái)」。英特爾則不評(píng)論。

業(yè)界指出，隨著電晶體尺寸持續(xù)微縮，芯片在高負(fù)載運(yùn)算時(shí)會(huì)出現(xiàn)劇烈瞬時(shí)電流需求，傳統(tǒng)去耦電容面臨容量密度不足或漏電流過(guò)高等瓶頸，已難以支撐埃米級(jí)芯片運(yùn)作穩(wěn)定。

Super MIM是英特爾揮軍埃米級(jí)制程的關(guān)鍵技術(shù)，藉由該電容技術(shù)，解決先進(jìn)制程下電源噪聲與瞬時(shí)功率波動(dòng)問(wèn)題，堪稱(chēng)英特爾邁入下世代制程節(jié)點(diǎn)的秘密武器。

據(jù)了解，英特爾Super MIM超級(jí)電容采用鐵電鉿鋯氧化物（HZO）、氧化鈦（TiO）、鈦酸鍶（STO）等材料堆疊，可在相容既有后段制程（BEOL）的情況下，大幅提升單位面積電容密度，并顯著降低漏電水準(zhǔn)。

該技術(shù)可在芯片內(nèi)部即時(shí)提供瞬間電流支援、抑制電壓下陷與電源雜訊，被視為18A等埃米級(jí)制程能否順利量產(chǎn)的關(guān)鍵電力基礎(chǔ)模組之一。

消息人士透露，英特爾正規(guī)劃優(yōu)先將Super MIM超級(jí)電容技術(shù)向下導(dǎo)入與聯(lián)電既有合作的12奈米／14奈米制程平臺(tái)，并延伸至先進(jìn)封裝相關(guān)應(yīng)用。

業(yè)界分析，透過(guò)取得英特爾相關(guān)授權(quán)，聯(lián)電在關(guān)鍵電力技術(shù)先行商品化與模組化再邁進(jìn)大步，并建立其成熟先進(jìn)制程與先進(jìn)封裝領(lǐng)域差異化技術(shù)門(mén)檻。

若聯(lián)電成功導(dǎo)入英特爾Super MIM超級(jí)電容技術(shù)，將不僅是單一制程優(yōu)化，而是取得「先進(jìn)電力模組」這項(xiàng)跨世代關(guān)鍵能力，有助其切入AI加速器、高速運(yùn)算、先進(jìn)封裝電源層等高附加價(jià)值應(yīng)用，對(duì)聯(lián)電整體技術(shù)平臺(tái)與客戶(hù)結(jié)構(gòu)具指標(biāo)意義。