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長江存儲三期項目提速,2026下半年量產

2026-02-02 來源:電子工程專輯
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關鍵詞: 長江存儲 NAND Flash 三期晶圓廠

在全球存儲芯片持續緊缺、AI驅動需求激增的背景下,中國領先的NAND Flash制造商——長江存儲(YMTC)正以驚人速度推進其武漢三期晶圓廠建設。

據業內最新消息,原定于2027年實現量產的三期項目,有望提前至2026年下半年正式啟動,比原計劃整整提前一年。

長江存儲三期項目于2025年9月正式動工,由長江存儲與湖北國資聯合出資成立的“長存三期(武漢)集成電路有限責任公司”主導,注冊資本高達207.2億元。項目自啟動以來進展迅猛:截至2026年初,工地已進入潔凈廠房設備安裝階段,生產設備采購與產線調試同步展開。從破土動工到設備搬入僅用一年多時間,在半導體行業極為罕見,凸顯其“邊建廠、邊投產”的高效策略。

此次提速背后,是長江存儲對全球NAND市場“超級周期”的對應布局。當前,受AI服務器、數據中心及消費電子復蘇推動,NAND Flash供不應求。然而,三星、SK海力士、美光等國際大廠正將產能優先投向高利潤的HBM和高端DRAM,導致智能手機、PC等傳統應用領域供應緊張。這為長江存儲提供了寶貴的市場窗口——憑借快速釋放的新增產能,可迅速填補中端市場空缺,擴大客戶覆蓋。

數據顯示,長江存儲全球市占率已從2024年的9%躍升至2025年第三季度的13%,首次突破10%大關。若三期項目如期在2026年下半年量產,其市場份額有望沖擊15%以上,進一步逼近全球前四。

尤為關鍵的是,長江存儲的增長并非依賴低價傾銷,而是建立在扎實的技術創新之上。其獨創的Xtacking架構已迭代至3.0甚至4.0版本,在3D NAND堆疊層數、讀寫速度和能效比方面達到國際一線水平。目前,其產品良率與可靠性獲得客戶高度認可,旗下消費品牌“致態”連續兩年蟬聯京東SSD品類雙十一大促銷量與GMV冠軍,印證了市場對其品質的信任。

在知識產權方面,長江存儲已積累超11,000項專利,其中絕大多數為發明專利。更值得注意的是,連三星電子都曾向其購買用于400層以上3D NAND制造的混合鍵合(Hybrid Bonding)相關專利,足見其技術影響力已獲國際巨頭認可。

值得強調的是,這一切成就均是在美國將其列入實體清單、嚴格限制美系設備與材料出口的嚴峻環境下取得的。長江存儲通過構建“去美化”產線,大量采用國產刻蝕機、薄膜沉積設備、清洗機等,成功實現供應鏈自主可控。這也得益于近年來中國半導體設備與材料企業的快速進步,以及NAND Flash本身對極紫外光刻(EUV)等尖端制程依賴較低的特性。