據(jù)報道，三星將停止其位于韓國華城工廠12號生產(chǎn)線的2D NAND閃存生產(chǎn)，該生產(chǎn)線將被改造為末端晶圓廠，用于生產(chǎn)1C DRAM。

該生產(chǎn)線的產(chǎn)能為每月8萬至10萬片12英寸晶圓。消息人士稱，三星去年已通知一位客戶將停止2D NAND閃存的生產(chǎn)。這標志著三星正式停止2D NAND閃存的生產(chǎn)，12號生產(chǎn)線改造為DRAM終端生產(chǎn)線預計將提高華城工廠整體DRAM生產(chǎn)效率。

三星早在2002年就率先在全球范圍內(nèi)生產(chǎn)了1Gb NAND閃存。此舉使三星一躍成為全球最大的閃存制造商。2013年，三星成功實現(xiàn)了3D V-NAND的生產(chǎn)，標志著NAND閃存從垂直堆疊技術轉(zhuǎn)型。12號生產(chǎn)線的改造距離三星開始生產(chǎn)2D NAND已有24年，距離開始生產(chǎn)3D NAND也有13年之久。

在第四季度財報電話會議上，三星表示計劃將傳統(tǒng)工藝升級為先進工藝，其中包括停止生產(chǎn)平面NAND閃存。

同時，三星正在加大投入，以提高其華城和平澤工廠的1c DRAM產(chǎn)能。平澤工廠的P4生產(chǎn)線最初設計用于DRAM、NAND閃存和晶圓代工，但現(xiàn)在正在進行改造，專注于DRAM生產(chǎn)。

華城工廠的其他DRAM生產(chǎn)線也在進行改造，以生產(chǎn)1c DRAM。這意味著1c DRAM的產(chǎn)量預計將占三星DRAM總產(chǎn)能的很大一部分。