近年來，由于中美貿(mào)易戰(zhàn)及科技戰(zhàn)的持續(xù)，中國(guó)大陸正在傾全國(guó)之力發(fā)展自主半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，但是在光刻機(jī)等關(guān)鍵的半導(dǎo)體設(shè)備上，仍嚴(yán)重的受制于人，自主之路仍然困難重重。

以半導(dǎo)體制造所必須的光刻機(jī)來說，目前主要分為DUV 和EUV 光刻機(jī)。DUV 一般用于7nm及以上制程的芯片生產(chǎn)，而EUV 則主要用于7nm及以下尖端制程芯片的生產(chǎn)。目前全球生產(chǎn)EUV光刻機(jī)的廠商也只有荷蘭的艾司摩爾(ASML) 一家。

想生產(chǎn)7 nm以下先進(jìn)制程芯片，就必須有ASML 的EUV光刻機(jī)。目前，由于美國(guó)方面的阻撓，中國(guó)大陸企業(yè)仍無法購(gòu)買EUV光刻機(jī)。

資料顯示，在半導(dǎo)體制造過程中成本占比比最高的設(shè)備，分別是光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備和過程檢測(cè)設(shè)備，這四類設(shè)備約占所有生產(chǎn)線設(shè)備成本的74%。其中，光刻機(jī)比重約21%、薄膜沉積類設(shè)備占比22%、刻蝕設(shè)備占比20%、過程檢測(cè)設(shè)備占比11%。目前這4類設(shè)備，中國(guó)大陸國(guó)產(chǎn)化比例都相對(duì)較低，其中光刻設(shè)備低于1%，過程檢測(cè)設(shè)備約2%，刻蝕類設(shè)備約7%，薄膜沉積類設(shè)備約8%。

除了晶片制造設(shè)備，還有更重要的材料部分，現(xiàn)階段大陸也相當(dāng)依賴國(guó)外進(jìn)口。以中芯國(guó)際最新14nm制程來說，部分材料甚至100% 依賴進(jìn)口，以ArF光刻膠為例，國(guó)內(nèi)目前幾乎都依賴于進(jìn)口，而EUV光刻膠更是沒有突破。

報(bào)導(dǎo)強(qiáng)調(diào)，即便中國(guó)廠商能拿到先進(jìn)制程設(shè)備材料，但最后是否成功的關(guān)鍵，還是取決于芯片制造技術(shù)。并不是有設(shè)備、材料就一定順利進(jìn)入7nm以下先進(jìn)制程。如果只有設(shè)備材料就能跨過門檻，那么格羅方德、聯(lián)電等廠商早就追上臺(tái)積電，但最后還是放棄，可見越尖端先進(jìn)制程芯片制造技術(shù)門檻也越高，同時(shí)良率的提升也越困難。