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Fujitsu推出新款8Mbit FRAM存儲器,支持高達100萬億次寫入次數

2021-11-24 來源:21IC電子網
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關鍵詞: FRAM存儲器

(全球TMT2021年11月24日訊)Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited已推出帶并行接口的8Mbit FRAM MB85R8M2TA存儲器,這也是Fujitsu首款支持100萬億次讀/寫周期的FRAM系列產品。

MB85R8M2TA存儲器配有與SRAM兼容的并行接口,可在1.8V-3.6V的電源電壓范圍內工作。新款FRAM在快頁模式下可實現25ns的訪問時間,因此在持續數據傳輸時的訪問速度可與SRAM相媲美。與Fujitsu的傳統產品相比,該存儲器實現了高速運行(訪問速度提高約30%)和低功耗(工作電流減少10%)。這款存儲器IC是SRAM的理想替代產品,可用于需要高速運行的工業機器。