美國眼見著中國已量產14納米，開始不斷收緊限制，最近更是拉攏了ASML、尼康等光刻機企業，試圖從先進光刻機上著手，阻止中國研發更先進的10納米、7納米技術，然而近期中國有芯片企業卻公布了一項新技術，可以用現有的DUV光刻機就能量產10納米乃至7納米工藝。

據悉中國一家芯片企業已研發了一項SAQP技術，這項技術可以利用現有的DUV光刻機開發出10納米工藝，證明中國基于現有的芯片設備在芯片制造工藝方面又邁出了重要一步。

業界人士指出SAQP技術不僅可以利用現有的DUV光刻機開發10納米工藝，還能進一步開發出7納米工藝。這是完全有可行性的，日本的NIL工藝就無需EUV光刻機可以開發出5納米工藝，美光開發的1－beta工藝也無需EUV光刻機，臺積電第一代7納米工藝同樣是以DUV光刻機生產。

SAQP全稱是四重曝光技術，即使以現有的DUV光刻機經過多重曝光，最終實現10納米乃至7納米的量產，這樣的方式可以有效降低成本，畢竟EUV光刻機的價格可是DUV光刻機的數倍，美光選擇繞開EUV光刻機就是為了節省成本，而性能方面卻能接近EUV光刻機的工藝。

如今中國也成功研發出無需EUV光刻機的先進工藝，對于中國芯片來說無疑是巨大的進步，尤其是這種方式還能大幅降低先進工藝的成本，有助于增強中國芯片的競爭力，此前美國家電制造商就認可了中國芯片的超低成本優勢，這是中國芯片所特有的競爭優勢。

中國開發的SAQP技術，說到底還是基于現有的硅基芯片技術，而硅基芯片以美國為首的西方經濟體近百年的積累，讓他們擁有了足夠的領先優勢，中國在硅基芯片技術上終究只能成為跟隨者，為了真正實現趕超，中國已開始研發更先進的芯片技術。

中國已分別籌建了全球第一條光子芯片生產線、量子芯片生產線，這將推動這兩項先進芯片技術早日實現商用，這些芯片技術可以將芯片性能提升千倍，而功耗大幅下降，這才是未來的先進芯片技術。

另一項先進芯片技術被稱為石墨烯技術，中國同樣也在推進，并已有多家中國企業取得石墨烯技術專利；美國也在力推石墨烯芯片技術，美國一家初創芯片企業表示在現有硅基芯片注入碳納米管，以90納米生產的芯片性能卻比7納米芯片提升50倍性能。

這些先進芯片的技術商用，將徹底變革當下的硅基芯片技術，將再也無需EUV光刻機等先進光刻機，這對于ASML無疑將是巨大的打擊。事實上ASML也已認識到它的第二代EUV光刻機量產，基本就已經到了硅基芯片的極限，全球芯片行業需要引入更先進的芯片技術，而中國加速了這些先進芯片技術的推進，將讓ASML的輝煌提前結束。

中國芯片這幾年的表現顯示出中國芯片所具有的強大技術實力，如今在美國的壓迫下，中國芯片行業已被激發了巨大的潛力，不斷加速各種先進芯片技術的發展，一旦這些先進芯片技術實現商用，那么中國將取得領先優勢，將再也不會受制于美國。