根據(jù)瑞銀（UBS）近日的一份報告，中國半導(dǎo)體設(shè)備龍頭企業(yè)北方華創(chuàng)（NAURA）在90:1高縱橫比（High Aspect Ratio, HAR）深孔刻蝕技術(shù)上取得重大進展，將有望支持300層以上3D NAND閃存的制造。

3D NAND技術(shù)是當(dāng)前存儲芯片發(fā)展的核心方向。為提升存儲密度，廠商不斷堆疊存儲單元層數(shù)——從早期的64層、128層，到如今的200層以上，并加速向300層甚至更高演進。

這如同建造一座數(shù)百層的“摩天大樓”，而要讓每一層之間實現(xiàn)電氣連通，就必須通過深孔刻蝕設(shè)備在幾微米厚的多層材料中垂直打通直徑僅幾十納米的“電梯井”。隨著層數(shù)增加、孔徑縮小，深寬比（即深度與直徑之比）迅速攀升。

對于300層以上的NAND，深寬比需達到90:1甚至100:1，這對刻蝕精度、均勻性、垂直度和工藝穩(wěn)定性提出了極致要求，被公認(rèn)為半導(dǎo)體制造中最苛刻的工藝之一。

長期以來，此類高端刻蝕設(shè)備市場由美國泛林（Lam Research）、日本東京電子（TEL）等國際巨頭壟斷。然而，在美國對華實施半導(dǎo)體設(shè)備出口管制、先進存儲與成熟制程設(shè)備遭禁運的背景下，國產(chǎn)替代已從“可選項”變?yōu)椤氨剡x項”。北方華創(chuàng)此次技術(shù)進展，正是在這一戰(zhàn)略窗口期的關(guān)鍵突破。

值得一提的是，國內(nèi)另一家刻蝕龍頭中微公司此前已宣布實現(xiàn)90:1深孔刻蝕能力，并正攻關(guān)100:1技術(shù)。

瑞銀分析指出，若北方華創(chuàng)成功獲得國內(nèi)NAND晶圓廠訂單，將打開數(shù)億乃至數(shù)十億美元的新增市場空間。同時，考慮到中國本土邏輯芯片廠商對先進制程設(shè)備需求持續(xù)旺盛，其來自邏輯客戶的收入亦有進一步增長潛力。

基于此，瑞銀已將北方華創(chuàng)2026年和2027年的晶圓廠設(shè)備（WFE）收入預(yù)測分別上調(diào)1%和8%。

事實上，北方華創(chuàng)的布局遠(yuǎn)不止于NAND。12月4日，公司在投資者互動平臺透露，隨著HBM（高帶寬內(nèi)存）市場需求爆發(fā)，相關(guān)工藝設(shè)備需求激增。公司已在HBM芯片制造領(lǐng)域提供深硅刻蝕、薄膜沉積、熱處理、濕法清洗、電鍍等多款核心設(shè)備，形成完整解決方案。

同時，面對投資者關(guān)于“美系設(shè)備斷供下訂單情況”的提問，公司回應(yīng)稱：“存儲設(shè)備和成熟制程設(shè)備訂單保持良好態(tài)勢，產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于國內(nèi)主流芯片廠商生產(chǎn)線。”

當(dāng)前，AI、云計算等新興應(yīng)用正推動存儲芯片進入新一輪擴產(chǎn)周期，行業(yè)供需缺口明顯。據(jù)業(yè)內(nèi)預(yù)測，2025—2027年全球HBM產(chǎn)能將增長超300%，而中國作為全球最大存儲消費市場，本土化制造需求迫切。北方華創(chuàng)等國產(chǎn)設(shè)備商正站在歷史性機遇的風(fēng)口。

責(zé)編：Jimmy.zhang