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臺積電:3nm良率領先業界 很快比肩5nm

2023-05-12 來源:集微網
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關鍵詞: 臺積電 三星 芯片

消息稱三星將公布第二代3nm制程進度,性能較4nm提高22%。臺積電5月11日在技術論壇上表示,自家3nm制程(N3)將實現快速且順暢的產能提升,良率將比肩5nm技術。


據鉅亨網報道,臺積電先進技術暨光罩工程副總經理張宗生表示,臺積電N3在量產階段,產能在手機和高性能計算應用驅動下將迅速提升,良率將領先業界,很快就可以比肩5nm技術。


臺積電業務開發資深副總經理張曉強表示,臺積電N3是全世界最領先的技術,N3家族中的N3E已通過技術驗證,達成性能與良率目標,并收到第一批客戶產品設計定案,將在下半年量產,在邁入量產的前三年,N3E新品設計定案數量將是5nm同時期的1.5至2倍。


張曉強補充表示,包括手機、高性能計算客戶都積極采用N3制程,踴躍程度勝過5nm制程同期,車用芯片客戶也期待推進3nm制程。臺積電應業界需求推出首個基于3nm制程的Auto Early技術——N3AE,提供以N3E為基礎的汽車制程設計套件,將有助縮短客戶產品上市時間2-3年。


除先進制程,臺積電也持續提升特殊應用制程產能。張宗生指出,2017年到2022年,臺積電對特殊制程技術投資的年復合成長率超過40%,到2026年,預計將特殊制程產能提升近50%。另外,臺積電也積極擴充3D Fabric先進封裝產能,預計至2025年無塵室面積將增為2021年的2倍以上。