12 月 19 日消息，臺(tái)積電在積極推進(jìn) 2nm 工藝節(jié)點(diǎn)，首部機(jī)臺(tái)計(jì)劃 2024 年 4 月進(jìn)廠之外，近日有消息稱臺(tái)積電 1.4nm 晶圓廠會(huì)落戶臺(tái)中科學(xué)園區(qū)二期。

報(bào)道稱臺(tái)積電目前正積極擴(kuò)充 CoWoS 封裝產(chǎn)能，計(jì)劃在臺(tái)中地區(qū)建設(shè)第 7 家先進(jìn)封裝和測(cè)試工廠，目前正在評(píng)估嘉義科學(xué)園區(qū)和云林。

本月 14 日?qǐng)?bào)道，臺(tái)積電在近日舉辦的 IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）的小組研討會(huì)上透露，其 1.4nm 級(jí)工藝制程研發(fā)已經(jīng)全面展開。

根據(jù) SemiAnalysis 的 Dylan Patel 給出的幻燈片，臺(tái)積電的 1.4nm 制程節(jié)點(diǎn)正式名稱為 A14。

目前臺(tái)積電尚未透露 A14 的量產(chǎn)時(shí)間和具體參數(shù)，但考慮到 N2 節(jié)點(diǎn)計(jì)劃于 2025 年底量產(chǎn)，N2P 節(jié)點(diǎn)則定于 2026 年底量產(chǎn)，因此 A14 節(jié)點(diǎn)預(yù)計(jì)將在 2027-2028 年問世。

在技術(shù)方面，A14 節(jié)點(diǎn)不太可能采用垂直堆疊互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（CFET）技術(shù)，不過臺(tái)積電仍在探索這項(xiàng)技術(shù)。因此，A14 可能將像 N2 節(jié)點(diǎn)一樣，依賴于臺(tái)積電第二代或第三代環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GAAFET）技術(shù)。

半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，臺(tái)積電目前已經(jīng)感受到三星和英特爾的壓力，而且創(chuàng)始人張忠謀已經(jīng)將主要擔(dān)憂從三星轉(zhuǎn)移到英特爾方面。

英特爾近日發(fā)布報(bào)告，在 PowerVia 背面供電技術(shù)、玻璃基板和用于先進(jìn)封裝的 Foveros Direct 方面均取得較大成功。

根據(jù) TrendForce 集邦咨詢 3Q23 全球晶圓代工營(yíng)收 TOP10 排名，英特爾晶圓代工業(yè)務(wù)首次進(jìn)入全球 TOP10，以業(yè)界最快的季度增長(zhǎng)位列第九。