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三星HBM因散熱與功耗問題未通過英偉達(dá)認(rèn)證

2024-05-24 來源: 芯智訊
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關(guān)鍵詞: 三星 HBM 英偉達(dá)

據(jù)路透社引述市場人士的說法稱,三星最新的高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片由于散熱和功耗問題,導(dǎo)致其尚未通過GPU大廠英偉達(dá)(NVIDIA)的測試認(rèn)證。


對此,三星在給路透社的聲明中表示,HBM是一款定制化內(nèi)存產(chǎn)品,需要根據(jù)客戶需求進(jìn)行優(yōu)化流程。現(xiàn)階段,公司正在通過與客戶的密切合作來優(yōu)化其產(chǎn)品。不過,三星拒絕對特定客戶發(fā)表評論,輝達(dá)方面也同樣拒絕評論。


報導(dǎo)指出,HBM于2013年首次推出,其中的DRAM芯片透過垂直堆疊來節(jié)省空間,并降低功耗,有助于處理復(fù)雜的人工智能應(yīng)用所產(chǎn)生的大量數(shù)據(jù)。隨著生成式AI熱潮對GPU的需求激增,對HBM的需求也激增。目前英偉達(dá)拿下了全球AI GPU市場超過80%的市占率,所以能打入英偉達(dá)的HBM供應(yīng)鏈就成為供應(yīng)商未來成長的關(guān)鍵。


因此,市場人士表示,自2023年以來,三星一直在努力通過英偉達(dá)對HBM3和HBM3E等產(chǎn)品的認(rèn)證。不過,最近英偉達(dá)對三星8層和12層堆疊的HBM3E芯片的認(rèn)證失敗結(jié)果已經(jīng)于四月之際公布。


對此,市場人士指出,尚不清楚這些問題是否可以輕易解決。然而,未能通過英偉達(dá)的要求增加了業(yè)界和投資者的擔(dān)憂,使得三星可能會進(jìn)一步落后于競爭對手SK海力士和美光科技。目前SK海力士和美光的HBM產(chǎn)能已經(jīng)被預(yù)定一空,即便是2025年的產(chǎn)能也已經(jīng)被預(yù)定。