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前途末路!ASML陷入“工藝陷阱”,EUV光刻機(jī)走進(jìn)了死胡同?

2024-05-27 來(lái)源:科技專家
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關(guān)鍵詞: 臺(tái)積電 三星 ASML

自從芯片產(chǎn)業(yè)的制造,采用光刻方式之后,光刻機(jī)就成為了不可或缺的設(shè)備之一。


而當(dāng)光刻進(jìn)入浸潤(rùn)式時(shí)代后,ASML抱著臺(tái)積電大腿,豪賭浸潤(rùn)式,徹底崛起,將尼康、佳能等遠(yuǎn)遠(yuǎn)的甩在了身后,真正一家獨(dú)大。


如今在浸潤(rùn)式光刻機(jī)領(lǐng)域,ASML份額超過(guò)90%,而在EUV光刻機(jī)領(lǐng)域,ASML的份額達(dá)到100%。


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ASML不斷的升級(jí)機(jī)器,第一代浸潤(rùn)式,升級(jí)為第二代浸潤(rùn)式、第三代浸潤(rùn)式……


EUV光刻機(jī)也是如此,普通EUV,第一代EUV,NA=0.33的低數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī),再NA=0.55的高數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)……


而晶圓廠,不斷的追求更先進(jìn)的工藝,從7nm到5nm,再到3nm,于是也得跟著ASML的腳步走,一代又一代的升級(jí)光刻機(jī),將自己的舊光刻機(jī)更新?lián)Q代……


除非你的工藝不進(jìn)步了,死守28nm或14nm或XXnm,呆在原地不動(dòng),否則就要跟著ASML走……


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直到ASML推出最新的NA=0.55高數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī),也就是High-NA EUV光刻機(jī),型號(hào)為EXE:5200的光刻機(jī)后,大家發(fā)現(xiàn)不對(duì)了,ASML說(shuō)這是用于2nm及以下的芯片制造的。


因?yàn)檫@種光刻機(jī)實(shí)在是太貴了,售價(jià)高達(dá)3.5億歐元(約合27億元人民幣),大小約等于一輛雙層巴士,重量高達(dá)150噸,也就是150000KG,安裝需要ASML派250名工程師,6個(gè)月的時(shí)間。


買這種光刻機(jī),成本太高了,拿臺(tái)積電為例,如果將現(xiàn)有的100多臺(tái)EUV光刻機(jī),全換成這種,需要近3000億的換代成本。


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臺(tái)積電也受不了啊,于是近日臺(tái)積電做了一個(gè)決定,暫時(shí)不買這種High-NA EUV光刻機(jī),要基于原來(lái)的NA=0.33的光刻機(jī),進(jìn)行技術(shù)改進(jìn)。


臺(tái)積電認(rèn)為,哪怕是采用舊的光刻機(jī),應(yīng)該也是可以實(shí)現(xiàn)2nm甚至2nm以下芯片制造的,哪怕良率低一點(diǎn)點(diǎn),流程稍微復(fù)雜一點(diǎn)點(diǎn),也會(huì)比投資幾千億來(lái)?yè)Q新EUV光刻機(jī)成本更低。


而一旦臺(tái)積電不買這種新光刻機(jī),那么ASML可能就會(huì)是到麻煩了,甚至可能是“末路”,因?yàn)榕_(tái)積電一直是其EUV光刻機(jī)最大的客戶,如果臺(tái)積電不買,誰(shuí)來(lái)買?intel、三星?估計(jì)這倆一旦看到臺(tái)積電不買,也會(huì)學(xué)臺(tái)積電的技術(shù)路線。


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而成熟工藝的光刻機(jī),比如DUV等,因?yàn)楸旧韮r(jià)格不貴,利潤(rùn)也不是很高,且競(jìng)爭(zhēng)也大,只有EUV光刻機(jī)沒(méi)競(jìng)爭(zhēng),才是ASML賺錢的根本啊。


可以說(shuō)現(xiàn)在ASML是陷入了“工藝陷阱”了,如果跨不過(guò)去,可能就是末路,前路一片迷茫,因?yàn)樾酒に嚤平锢順O限,EUV光刻機(jī)也就走進(jìn)死胡同,花更高的成本去更新也無(wú)人買單了。