下世代HBM4（第六代HBM）爭霸戰提前展開，臺積電新任董事長魏哲家正式接任后，SK集團會長崔泰源和SK海力士社長郭魯正6日搭乘專機閃電旋風來臺，藉此強化AI半導體的競爭力，搶佔HBM4開發先機，依照規劃，SK海力士預計將在2025年量產HBM4。

三大記憶體廠將開發重點聚焦于HBM市場大餅，根據NVIDIA規劃，次世代Rubin GPU將採用8層堆疊HBM4，而Rubin Ultra GPU則會採12層堆疊HBM4，執行長黃仁勳日前也指出，Rubin R100 GPU預計2025年第4季量產，相關DGX和HGX超級運算解決方案預計2026年上半量產，Rubin GPU及相關平臺將于2026年推出。

SK集團會長崔泰源專機閃電來臺，與臺積電新任董事長魏哲家會面，確立雙方強化AI及半導體合作。SK集團

為了持續確保HBM領先地位，SK海力士已提前展開布局，預計2025年將導入量產HBM4，崔泰源亦在4月底前往美國硅谷，專程會見黃仁勳，更透過個人社群平臺，上傳兩人的合影。

據指出，魏哲家正式接手兼任董事長暨總裁，臺積電開啟魏哲家全面執政時代，崔泰源和郭魯正立即敲定專程前往臺積電，以強化雙方HBM4開發制程順利，并討論在AI及半導體領域的合作方案等，崔泰源與魏哲家也留下兩人合影，SK集團高層來臺僅短短數小時便閃電離開臺灣，可見對于HBM4技術開發的高度重視。

此外，SK海力士2024年首度參展COMPUTEX，并在攤位展出最新HBM3E記憶體以及MR-MUF技術（Mass Re-flow Molded Underfill），據悉，SK海力士社長層級高層先后到達臺灣，并前往COMPUTEX現場參觀，掌握全球技術發展動向。

SK海力士于4月宣布與臺積電簽訂技術合作合作備忘錄，為了提高效能，從HBM4開始，SK海力士將採用臺積電的先進制程工藝用于生產Base Die，透過在Base Die採用超細微工藝，將可以增加更多功能，并在效能和功效等方面，更能滿足客戶定制化（Customized）HBM產品的需求。

同時，2家公司也決定將優化SK海力士的HBM和臺積電的CoWoS技術結合，以共同應對HBM相關顧客的要求。

SK海力士以往生產HBM產品，包括HBM3E採由自身制程技術來制造Base Die，但從HBM4開始將打破邏輯制程與記憶體的界線，開始採用先進邏輯制程，換言之，未來在Base Die完成后，將交由SK海力士等記憶體制造DRAM堆疊制程，最后再交回臺積電進行CoWoS先進封裝技術。

SK集團表示，為了促進AI及半導體領域的全球合作，崔泰源從2023年底開始推動廣泛合作，并傳達了“一起開啟有助于人類的AI時代基石”的資訊，并確保加強SK海力士和TSMC再HBM領域合作能達成共識。