應用材料公司推出了一種全新的先進邏輯芯片布線工藝技術，可微縮到3納米及以下技術節點。

 

應用材料公司全新的Endura Copper Barrier Seed IMS解決方案在高真空條件下將七種不同工藝技術集成到了一個系統中，從而使芯片性能和功耗得到改善。

雖然晶體管尺寸縮小能夠使其性能提升，但這對互連布線中的影響卻恰恰相反：互連線越細，電阻越大，導致性能降低和功耗增加。從7納米節點到3納米節點，如果沒有材料工程技術上的突破，互連通孔電阻將增加10倍，抵消了晶體管縮小的優勢。

應用材料公司開發了一種名為Endura? Copper Barrier Seed IMS?的全新材料工程解決方案。這個整合材料解決方案在高真空條件下將ALD、PVD、CVD、銅回流、表面處理、界面工程和計量這七種不同的工藝技術集成到一個系統中。其中，ALD選擇性沉積取代了ALD共形沉積，省去了原先的通孔界面處高電阻阻擋層。解決方案中還采用了銅回流技術，可在窄間隙中實現無空洞的間隙填充。通過這一解決方案，通孔接觸界面的電阻降低了50%，芯片性能和功率得以改善，邏輯微縮也得以繼續至3 納米及以下節點。

應用材料公司高級副總裁、半導體產品事業部總經理珀拉布?拉賈表示：“每個智能手機芯片中有上百億條銅互連線，光是布線的耗電量就占到整個芯片的三分之一。在真空條件下整合多種工藝技術使我們能夠重新設計材料和結構，從而讓消費者擁有功能更強大和續航時間更長的設備。這種獨特的整合解決方案旨在幫助客戶改善性能、功率和面積成本。”

Endura Copper Barrier Seed IMS系統現已被客戶運用在全球領先的邏輯節點代工廠生產中。有關該系統和其它邏輯微縮創新的更多信息已在美國時間6月16日舉行的應用材料公司 2021邏輯大師課上進行了討論。