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三星2nm良率突破50%,計(jì)劃2027年實(shí)現(xiàn)代工業(yè)務(wù)盈利

2026-01-16 來(lái)源:電子工程專輯
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關(guān)鍵詞: 三星 2nm

1月16日消息,據(jù)外媒報(bào)道,三星電子2nm GAA制程(SF2)的良率已提升至50%。這一數(shù)字看似仍不及臺(tái)積電同期2nm工藝初期60%的水平,但對(duì)曾深陷3nm良率泥潭、市占率跌至6.8%的三星而言,或是一次關(guān)鍵性的戰(zhàn)略突圍。

過(guò)去幾年,三星在先進(jìn)制程競(jìng)賽中屢屢受挫。5nm時(shí)代因虛標(biāo)性能與良率失控,失去大量Fabless客戶信任;3nm雖全球首發(fā)GAA架構(gòu),卻因良率長(zhǎng)期徘徊在30%以下,陷入“賠本賺吆喝”的窘境。而臺(tái)積電則憑借穩(wěn)健的技術(shù)迭代和龐大產(chǎn)能,牢牢占據(jù)71%的市場(chǎng)主導(dǎo)地位。

從2024年起,三星徹底調(diào)整戰(zhàn)略重心:放棄“全球首發(fā)”的激進(jìn)口號(hào),轉(zhuǎn)而將良率與穩(wěn)定性置于核心。其2nm工藝延續(xù)GAA路線,但全面優(yōu)化為升級(jí)版MBCFET(多橋通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管)架構(gòu),采用四層堆疊納米片設(shè)計(jì),電流驅(qū)動(dòng)能力較FinFET提升約30%,漏電減少50%,可變性降低26%,顯著改善了AI與高性能計(jì)算芯片的能效表現(xiàn)。

良率爬坡成為這場(chǎng)背水一戰(zhàn)的關(guān)鍵。2024年2月試產(chǎn)初期,2nm良率僅30%;到4月升至40%;而截至2025年底,已穩(wěn)定在50%–60%區(qū)間。搭載該工藝的Exynos 2600處理器良率甚至達(dá)60%,且初期量產(chǎn)未現(xiàn)致命缺陷——這與3nm時(shí)代的混亂形成鮮明對(duì)比。

知情人士表示:“具體數(shù)據(jù)可能因質(zhì)量鑒定標(biāo)準(zhǔn)而異,但我們了解到Exynos 2600的良率已相對(duì)穩(wěn)定,約為50%。三星移動(dòng)體驗(yàn)(MX)部門也將鼓勵(lì)使用該芯片組,約占Galaxy總量的25%。”

除自用Exynos 2600將用于25%的Galaxy手機(jī)外,中國(guó)礦機(jī)企業(yè)比特微與嘉楠科技也已下單2nm芯片。

更重要的是,第二代2nm工藝SF2P正成為三星代工反彈的真正希望。相較SF2,SF2P性能提升12%、功耗降低25%、面積縮小8%,并將于2026年用于Exynos 2700及特斯拉AI6芯片。后者源于雙方簽署的165億美元協(xié)議,意味著三星首次獲得國(guó)際頂級(jí)AI客戶的信任。

三星已明確將資源向SF2P傾斜,不僅完成PDK開(kāi)發(fā),還向設(shè)計(jì)伙伴積極推廣。若SF2P實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn),將成為外部客戶評(píng)估三星先進(jìn)制程可靠性的關(guān)鍵標(biāo)桿,有望撬動(dòng)更多訂單回流。

不過(guò),然而,三星電子要成為臺(tái)積電的強(qiáng)有力的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手還需要一段時(shí)間。這很大程度上還需取決于基于SF2P制程打造的Exynos 2700以及特斯拉AI6能否取得成功,以此作為進(jìn)一步的有力證明。目前,三星電子已明確立下目標(biāo),期望在2027年之前實(shí)現(xiàn)晶圓代工業(yè)務(wù)的盈利。