1月16日，在美光科技（Micron Technology）位于紐約州錫拉丘茲的新晶圓廠破土動工儀式上，美國商務(wù)部長霍華德·盧特尼克（Howard Lutnick）發(fā)出警告：所有希望向美國市場出口存儲芯片的企業(yè)——尤其是來自韓國和中國臺灣的廠商——若不在美國本土投資建廠，將面臨高達100%的進口關(guān)稅。

“以關(guān)稅換投資”，是特朗普政府第二任期強化“制造業(yè)回流”戰(zhàn)略的關(guān)鍵一環(huán)。早在2025年8月，白宮就曾宣布考慮對所有進口半導(dǎo)體征收100%關(guān)稅，但隨后暫緩實施，轉(zhuǎn)而采取“談判優(yōu)先”策略，試圖通過雙邊協(xié)議換取外國企業(yè)在美國的大規(guī)模投資。

近日，美國與中國臺灣地區(qū)達成的貿(mào)易協(xié)議，正是這一思路的樣板：臺積電等企業(yè)承諾新增至少2500億美元對美直接投資。美國給予的“半導(dǎo)體關(guān)稅豁免”的條件是：中國臺灣半導(dǎo)體廠商承諾在美國設(shè)廠，在建廠期間，就可以免關(guān)稅進口相當于建廠產(chǎn)能2.5倍的半導(dǎo)體。

盧特尼克明確指出，“與中國臺灣協(xié)議中的條款也可能適用于韓國企業(yè)”。

盡管未點名三星電子（Samsung Electronics）或SK海力士（SK Hynix），但這兩家韓國巨頭合計占據(jù)全球DRAM和NAND閃存市場逾60%的份額，是美國數(shù)據(jù)中心、人工智能（AI）服務(wù)器及消費電子產(chǎn)業(yè)鏈的核心供應(yīng)商。

在AI算力需求爆發(fā)式增長的背景下，高帶寬存儲芯片（HBM）嚴重供不應(yīng)求，價格持續(xù)飆升，美國本土卻幾乎無法自給——美光雖為第三大存儲芯片廠商，但其大部分產(chǎn)能仍布局于日本、新加坡及中國臺灣。

正因如此，美國對韓臺企業(yè)的依賴構(gòu)成了其政策杠桿的基礎(chǔ)。盧特尼克直言：“所有想生產(chǎn)存儲芯片的人都有兩個選擇：要么支付100%關(guān)稅，要么在美國建廠。”這不僅是經(jīng)濟脅迫，更是一種精心設(shè)計的“產(chǎn)業(yè)置換”戰(zhàn)略——通過關(guān)稅壁壘迫使全球頂尖制造商將先進制程和封裝能力轉(zhuǎn)移至美國本土，從而重塑全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈格局。

實際上，三星在2024年已宣布將對美投資總額提升至超400億美元，涵蓋得克薩斯州泰勒市的兩座先進邏輯晶圓廠、一個研發(fā)中心及一座HBM先進封裝設(shè)施，并擴建奧斯汀現(xiàn)有工廠。SK海力士則計劃在印第安納州投入近40億美元建設(shè)先進封裝廠，作為其150億美元美國投資計劃的一部分。這些舉措顯然意在爭取未來可能的關(guān)稅豁免資格。

根據(jù)7月公布的美韓達成的協(xié)議內(nèi)容，美國計劃對源自韓國的大多數(shù)商品加征15%的關(guān)稅，同時暫時對芯片進口予以豁免。據(jù)悉，這份協(xié)議涵蓋了一項規(guī)模達3500億美元的韓國對美投資基金，但相關(guān)計劃目前仍在規(guī)劃制定階段。目前尚不清楚三星和SK海力士除了此前已作出的承諾之外，還會同意在美國追加多少投資。

值得一提的是，當時韓國政府得到了一個原則性的承諾，即不會受到比其競爭對手中國臺灣更不利的待遇。特朗普政府官員在回應(yīng)韓聯(lián)社的提問“與中國臺灣達成的半導(dǎo)體關(guān)稅豁免標準是否也適用于韓國？”時也表示，“將為不同的國家和地區(qū)單獨達成協(xié)議。”這或許意味著韓國廠商的豁免的標準可能會比中國臺灣更為寬松。