據《朝鮮日報》及多家韓媒最新報道，包括英偉達、蘋果、谷歌在內的美國科技巨頭，正以驚人的六位數年薪為誘餌，在韓國掀起一場針對三星電子和SK海力士工程師的“定向挖角”風暴。

為了縮小與韓國企業在內存市場的長期差距，美國科技巨頭開出了令人心動的價碼。據報道，英偉達本月早些時候發布招聘信息，為專注于HBM開發的資深工程師提供最高達258,750美元的基本年薪。蘋果公司緊隨其后，上月發布了NAND閃存產品工程師職位，年薪上限更是高達305,600美元。

這場“搶人大戰”的參與者遠不止這兩家巨頭。中國臺灣聯發科已加入戰局，為HBM工程師開出約26萬美元的年薪；高通也開始在韓國招募3D DRAM研發人員。

作為谷歌AI基礎設施核心組件——張量處理單元（TPU）的合作伙伴，谷歌和博通也在硅谷擴大了對HBM人才的招聘規模。谷歌正在尋找能評估HBM性能的專家，而博通則急需精通HBM、DDR及高速接口技術的測試驗證人才。

而特斯拉CEO埃隆·馬斯克更是親自下場。他轉發了特斯拉韓國公司招聘AI半導體設計師的公告，此舉與其提出的“Terafab”愿景高度契合。

據悉，“Terafab”旨在打造一個集晶圓代工、大規模存儲器生產和先進封裝于一體的垂直整合制造中心，而韓國人才正是實現這一宏大藍圖的關鍵拼圖。

此外，美光科技也不甘示弱，自去年底起便從三星和SK海力士“撬人”至其臺灣臺中工廠，不僅提供超過原薪資兩倍的待遇，還附加了約3億韓元（約合21萬美元）的巨額簽約獎金。

這場人才爭奪戰的核心，直指高帶寬內存（HBM）和NAND閃存等關鍵領域，折射出AI算力爆發背景下，高端存儲技術已成為制約行業發展的新瓶頸。

隨著大語言模型參數量的不斷攀升，傳統內存架構已無法滿足GPU對數據吞吐量的極致要求。HBM憑借其在單位面積內堆疊多層DRAM芯片并通過硅通孔（TSV）技術互連的特性，提供了遠超GDDR顯存的帶寬和能效，成為AI訓練和推理的“剛需”。

然而，全球具備HBM核心研發經驗的工程師屈指可數，且高度集中在韓國的三星和SK海力士手中。這種極度的供需失衡，直接推高了人才的市場價格。

面對洶涌的“挖角”潮，韓國存儲雙雄正奮力抵抗。SK海力士在2026年初發放了創紀錄的績效獎金，總額相當于員工月基本工資的2964%。這一驚人數字源于該公司修訂后的勞動協議，即把年度營業利潤的10%撥入獎金池。鑒于SK海力士2025年憑借HBM熱潮實現了47.2萬億韓元的營業利潤，員工們分到了豐厚的紅利。

三星電子同樣動作頻頻，向半導體部門員工發放了高達2025年年薪47%的獎金，創下自AI內存熱潮以來的最高紀錄。

然而，業內分析人士警告稱，僅靠一次性獎金可能難以從根本上遏制人才流失。硅谷資深工程師超過30萬美元的穩定基本年薪（不含股票期權），構成了巨大的長期吸引力。