自從芯片被發(fā)明出來后,短短幾十年就成為了全球科技產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ),小小的一顆芯片,牽動(dòng)著全球的神經(jīng),特別是在近兩年,表現(xiàn)更為突出。

而芯片發(fā)展到現(xiàn)在,也經(jīng)歷了所謂的三代,其中硅基芯片是第一代半導(dǎo)體,而GaAs、InP等認(rèn)為是第二代半導(dǎo)體材料,而將Sic、GaN等認(rèn)為是第三代半導(dǎo)體材料。

雖然目前硅基芯片依然占了全球芯片產(chǎn)業(yè)的90%以上,但并不妨礙大家研究發(fā)展更多的芯片材料,畢竟尋找到一種可替代硅的新材料,就有可能改變?nèi)虻男酒a(chǎn)業(yè)格局。

而隨著電動(dòng)汽車、5G等技術(shù)的到來,大家認(rèn)為第三代半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的芯片產(chǎn)業(yè),應(yīng)該能夠得到大大的發(fā)展,所以全球都在研究第三代半導(dǎo)體材料,比如SiC、GaN等。

目前GaN的應(yīng)用比較多了,特別是在充電技術(shù)領(lǐng)域,比如電動(dòng)車、甚至手機(jī)快速充電器領(lǐng)域,都應(yīng)用了GaN技術(shù)。

而昨天,“意法半導(dǎo)體中國”官方微信宣布,意法半導(dǎo)體(簡稱“ST”)瑞典北雪平工廠成功制造出了,全球第一批200mm (8英寸)碳化硅(SiC)晶圓片,這些晶圓將用于生產(chǎn)下一代電力電子芯片的產(chǎn)品原型。

SiC材料不像硅,制造是比較難的,一方面是因?yàn)樗擦?碳化硅單晶材料莫氏硬度分布在9．2～9．6之間,僅僅比金剛石的硬度低0．5左右。另外一方面比較脆,所以制造成大的晶圓是比較困難的,加工門檻非常高。

但SiC半導(dǎo)體具有耐高溫、耐高壓、高頻、大功率、抗輻射等特點(diǎn),主要應(yīng)用于高壓輸變電、軌道交通、電動(dòng)汽車、通訊基站等重要領(lǐng)域。

目前在SiC晶圓這一塊,排在第一位的Cree差不多占了60%的市場,其次是美國II-VI公司,市場份額約為16%,現(xiàn)在ST能夠制造出8寸的SiC晶圓時(shí),代表著其在第三代半導(dǎo)體技術(shù)上,也達(dá)到了全球領(lǐng)先的地步,或?qū)⒏淖內(nèi)騍iC的產(chǎn)業(yè)格局。

但從另外一方面來看,那就是我們真的要加油了,第一代半導(dǎo)體我們是比較落后了,第二代半導(dǎo)體也沒能領(lǐng)先,現(xiàn)在第三代可不能再落后了。