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三星:3nmGAA研發進度領先臺積電,將盡早商業化

2021-08-27 來源:界面新聞
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關鍵詞: 三星 3nm GAA 研發

8月26日消息,據韓媒Business Korea報道,三星電子裝置解決方案事業部門技術長Jeong Eun-seung周三(25日)在一場網絡技術論壇中表示,三星能夠搶在主要競爭者臺積電之前,宣布GAA技術商業化。


他說,“我們開發中的GAA技術,領先主要競爭者臺積電。一旦鞏固這項技術,我們的晶圓代工事業將可更加成長。”


據報道,GAA是3納米制程的關鍵。GAA技術的優點在于改變電晶體架構,將之由鰭式場效電晶體(FinFET)的3D轉為GAA的4D。


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行業分析師指出,誰先將首先將GAA技術商業化,還有待進一步觀察。這是因為臺積電在早期也積極將該技術商業化。2011年至2020年間,全球31.4%的GAA專利來自臺積電,三星電子的GAA專利占20.6%。


三星電子表示,其在技術上與臺積電并駕齊驅。Jeong Eun seung指出,三星的晶圓代工事業2017年才開始,不過我們將憑借在存儲芯片領域的技術根基,超越臺積電。他舉例三星曾在臺積電之前,就開發了一款搭載FinFET技術的14MHz產品。