10月12日消息，據(jù)外媒報道，全球最大存儲芯片制造商三星電子周二宣布，該公司開始使用極紫外光刻（EUV）技術(shù)批量生產(chǎn)業(yè)界最小的14納米DRAM芯片，這有助于其鞏固在存儲行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)地位。

繼去年3月出貨業(yè)界首款EUV DRAM之后，三星電子已將EUV層的數(shù)量增加到5層，為其DDR5解決方案提供當(dāng)今最精細(xì)、最先進(jìn)的DRAM生產(chǎn)工藝。

DDR5是下一代DRAM標(biāo)準(zhǔn)，與DDR4相比，它具有速度快、密度高、功耗低的特點(diǎn)。它還針對大數(shù)據(jù)、人工智能（AI）和機(jī)器學(xué)習(xí)等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。

三星電子表示，EUV技術(shù)減少了多圖案繪制中的重復(fù)步驟，提高了圖案繪制的準(zhǔn)確性，從而實(shí)現(xiàn)了更好的性能和更高的產(chǎn)量，并縮短了開發(fā)時間。

三星電子還稱，即將開始量產(chǎn)DDR5，并預(yù)計(jì)最新的工藝將使生產(chǎn)率提高20%，能耗降低近20%。利用最新的DDR5標(biāo)準(zhǔn)，三星14納米DRAM將幫助解鎖前所未有的高達(dá)7.2Gbps的速度，這是DDR4速度的2倍多。

三星電子高級副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人Lee Joo-Young稱：“通過專注關(guān)鍵的圖形技術(shù)創(chuàng)新，我們已經(jīng)引領(lǐng)了DRAM市場近30年。今天，三星用多層EUV實(shí)現(xiàn)了另一個技術(shù)里程碑，這是傳統(tǒng)的氟化氬(ARF)工藝所不可能實(shí)現(xiàn)的壯舉。”

他補(bǔ)充說：“在這一進(jìn)步的基礎(chǔ)上，我們將繼續(xù)提供差異化程度最高的內(nèi)存解決方案，充分滿足5G、AI和元宇宙等數(shù)據(jù)驅(qū)動型領(lǐng)域?qū)Ω咝阅芎腿萘康男枨蟆?/p>